在庫検索
RTP装置
- 新規装置
• Premtek社のRTP装置は世界で500台以上の納入実績があり、その多くが化合物プロセスで使用されています。
• サセプタを使用してのチャンバー内のプロセスを実施するためSiC/Silicon/Sapphire/GaAs/InPなど多くの化合物ウエハの処理が可能で
す。また、化合物ウエハの反りが原因での温度測定不良を防ぐために、サセプタ上にTPを配置しています。
• 上面ランプ、下面ランプ、サイドランプを複数のゾーンに分配し、各々のゾーンを個別にPIDコントロールすることにより高い面内均一
性を実現しています。
• 高性能多軸ロボットを搭載することにより位置決め、チャンバー、クーリング・ユニット間をスムーズに反動することが可能です。
• 装置内はクラス100で保たれており、オープンカセットの他にSMIFカセットの使用が可能です。
• Windowsベースのソフトウエアは使いやすく、多くのプロセスレシピの登録や変更が容易で、ランタイム時のプロセスの状況を簡単に
把握することが可能です。
仕様
温度制御範囲 | 200~1250℃ |
温度制御方式 | マルチPIDコントロール |
面内温度均一性 | ≦±3%(600℃以下) |
≦±1.5%(600℃以上) | |
面内抵抗値均一性 | <1.5%~2.5%(1σ) |
真空 | 〇 |
ウエハ寸法 | 6~8 |
加熱ランプ | タングステン・ハロゲンランプ |
ウエハ搬送 | フルオート(5軸ロボット) |
プロセスガス系統数 | 4 |
ウエハ位置合わせ | センタリング |
OCR、アライナー(Op) | |
昇温レート | 25℃/秒(サセプタ使用時) |
サセプタ | SiCコーティングカーボン |
装置外形寸法 | D:1580 W:1500 H:1800mm |
お問い合わせCONTACT
-
電話でのお問い合わせ
03-6423-0130【受付時間】 9:00~17:30
(土日祝日・年末年始及び当社休業日を除く) -
Webからのお問い合わせ
お問い合わせフォーム